GD25WD40ETIGR
GigaDevice
NOR Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25WD80CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25WD80CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 SOP-8 封装。GD25WD80CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD80CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD80EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WD80EKEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WD80EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WD80EKJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD80ESIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25WD80ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25WD80ETIGY
GigaDevice
NOR FlashGD25WQ128EBIRY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25WQ128EQEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WQ128EQIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ128ESIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ128ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ128EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。GD25WQ128EWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。GD25WQ128EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。