GD25WD05CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD25WD05CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD10CK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD10CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25WD10CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD10CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD10EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WD10EK6IGR
GigaDevice · 封装：USON-6
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-6 封装。GD25WD10EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WD10ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25WD20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25WD20CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 USON-8 封装。GD25WD20CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD20EEIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD20EK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD20EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 6 mA，采用 USON-8 封装。GD25WD40CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WD40EEIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD40EK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD40EKIGR
GigaDevice
NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。