GD25VQ20CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25VQ20CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ40CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25VQ40CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ40CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ40CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ40CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ80CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25VQ80CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ80CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ80CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ80CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WB256EFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。GD25WB256EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25WB256EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25WB256EYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 256 Mbit、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。GD25WB256EYJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD05CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25WD05CK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WD05CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 USON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。