GD25T512MEF2RR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD25T512MEFARR
GigaDevice
NOR FlashGD25T512MEFERR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25T512MEFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。GD25T512MEY2GR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25T512MEYAGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25T512MEYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25UF128EQIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25UF128ESIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25UF64ELIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25UF64ENEGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25UF64ENIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25VE16CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.1 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VE16CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.1 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VE16CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.1 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VE20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.1 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25VE20CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.1 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25VQ20CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25VQ20CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。