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型号列表

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IS46TR16128DL-125KBLA2-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16128B-15HBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3,采用 BGA-96 封装。

IS45S16400J-6BLA2-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 BGA-54 封装。

IS42VM32400H-75BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-90 封装。

IS42VM16800H-6BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-54 封装。

AS4C8M32SA-7BCNTR

Alliance Memory · 封装:TFBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TFBGA-90 封装。

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

ISSI · 封装:28 mA

主要参数包括类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、湿敏性 是,采用 28 mA 封装。

IS45S16160G-7TLA2-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。

IS45S32200L-7BLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 BGA-90 封装。

IS42S83200G-6TLI-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。

IS43R16320E-6TLI-TR

ISSI · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 TSOP-66 封装。

IS43R16160F-6BL-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 BGA-54 封装。

IS43TR16256B-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

AS4C64M8D2-25BANTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是。

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。

AS4C16M16SA-7BCNTR

Alliance Memory · 封装:TFBGA-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 TFBGA-54 封装。

AS4C128M16D3B-12BCNTR

Alliance Memory

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - DDR3、存储组织结构 128 M x 16、湿敏性 是。

IS43R86400F-5TLI-TR

ISSI · 封装:TSOP-66

主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 TSOP-66 封装。

IS42S32800J-75ETL-TR

ISSI · 封装:TSOP-86

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-86 封装。

IS43TR16128D-107MBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

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