GD25LQ80EEAGR
GigaDevice
NOR Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25LQ80EEEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25LQ80EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 USON-8 封装。GD25LQ80ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 SOP-8 封装。GD25LQ80ESJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25LQ80ET2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25LQ80ETEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LQ80ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2.1 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 15 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LQ80ETJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25LQ80EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LR128ESIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LR256EYIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LR256FFIRR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25LR256FWIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25LR256FYIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25LR32ESIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LR32ETIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LR32ETJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LR512MEFIRY
GigaDevice
NOR FlashGD25LR512MEYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。