GD25Q256EFIRY
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25Q256EFJRR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q256EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25Q256EWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25Q256EWJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q256EYEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q256EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25Q256EYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25Q256EYJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q257DFIGR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-16 封装。GD25Q257DYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。GD25Q32CBIGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。GD25Q32CHIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25Q32CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CSJG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CSJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q32CTJG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。