GD25Q20CEAGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 USON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25Q20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25Q20COIGR
GigaDevice · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSSOP-8 封装。GD25Q20CSIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20CSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20EE2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q20EEAGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q20EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25Q20EKIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。GD25Q20ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q20ETJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q256DBIGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。GD25Q256DFIGR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-16 封装。GD25Q256DYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。GD25Q256DYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 30 mA，采用 WSON-8 封装。GD25Q256EBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。GD25Q256EFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。