GD25Q16CTEG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD25Q16CTEGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16CTJG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16CTJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16CWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 WSON-8 封装。GD25Q16EEEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q16EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25Q16EEJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q16ENEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25Q16EQIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 M x 8，采用 USON-8 封装。GD25Q16ESIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ESJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ETEGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ETIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25Q16ETJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 SOP-8 封装。GD25Q16EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。