GD25LQ20EE2GR
GigaDevice
NOR Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25LQ20EEAGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LQ20EEEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25LQ20EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 USON-8 封装。GD25LQ20EEJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LQ20EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 USON-8 封装。GD25LQ20ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOP-8 封装。GD25LQ20ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOP-8 封装。GD25LQ255EBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。GD25LT512MEB2RY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。GD25LT512MEF2RY
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。GD25LT512MEFIRY
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-16 封装。GD25LT512MEY2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25LT512MEY2GY
GigaDevice
NOR FlashGD25LT512MEYAGR
GigaDevice
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous、数据总线宽度 8 位。GD25LT512MEYIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LX128JB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD25LX128JBIRY
GigaDevice
NOR FlashGD25LX256E4IRR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR SPI, OPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25LX256EB2RY
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NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。