芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

46,309 条型号记录

每页 20 条

IS43R86400F-5BL-TR

ISSI · 封装：BGA-60

主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性是，采用 BGA-60 封装。

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IS46DR16320E-3DBLA2-TR

ISSI · 封装：BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。

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IS43R32160D-5BL-TR

ISSI · 封装：LFBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 LFBGA-144 封装。

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IS42VM16160K-6BLI-TR

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。

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IS42RM16160K-75BLI-TR

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。

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IS46TR16128B-125KBLA1-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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AS4C128M8D3B-12BANTR

Alliance Memory · 封装：FBGA-78

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。

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IS42S16160G-5BL-TR

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。

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IS43TR81280BL-107MBLI-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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IS43TR81280B-125JBLI-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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IS43TR81280B-125KBLI-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

ISSI · 封装：FBGA-24

主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性是、商品名称 HyperRAM，采用 FBGA-24 封装。

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IS43TR81280B-107MBL-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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IS43TR81280B-15GBLI-TR

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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IS46TR16128CL-125KBLA1-TR

ISSI · 封装：BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性是，采用 BGA-96 封装。

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IS43LR16160G-6BLI-TR

ISSI · 封装：BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-60 封装。

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IS46TR16128C-125KBLA1-TR

ISSI · 封装：BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性是，采用 BGA-96 封装。

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IS43R16320D-5TLI-TR

ISSI · 封装：TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。

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IS43TR16128B-125KBLI-TR

ISSI · 封装：BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。

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IS42SM32400H-75BLI-TR

ISSI · 封装：BGA-90

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性是，采用 BGA-90 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。