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GD25LF16ET2GR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。

GD25LF255EWIGR

GigaDevice · 封装:WSON-8

主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WSON-8 封装。

GD25LF255EWIGY

GigaDevice · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。

GD25LF256FB2RY

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。

GD25LF256FF2RR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。

GD25LF256FY2GR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。

GD25LF32ESIGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOP-8 封装。

GD25LF32ETJGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOP-8 封装。

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