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GD25LD80EEEGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QPI, Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。
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GD25LD80EEIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。
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GD25LD80EKIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。
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GD25LD80ESIGR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD25LD80ETIGR

GigaDevice · 封装：SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。
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GD25LE128DLIGR

GigaDevice · 封装：WLCSP-8

主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 WLCSP-8 封装。
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GD25LE128E3IRR

GigaDevice · 封装：WLCSP-26

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 9 mA，采用 WLCSP-26 封装。
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GD25LE128ELIGR

GigaDevice · 封装：WLCSP-14

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 9 mA，采用 WLCSP-14 封装。
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GD25LE128EQIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 9 mA，采用 USON-8 封装。
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GD25LE128ESIG

GigaDevice · 封装：SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。
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GD25LE128ESIGR

GigaDevice · 封装：SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 9 mA，采用 SOP-8 封装。
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GD25LE128EWIGR

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 9 mA，采用 WSON-8 封装。
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GD25LE128EWJGR

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。
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GD25LE128EWJGY

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。
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GD25LE128EXHEGR

GigaDevice · 封装：FO-USON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 FO-USON-8 封装。
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GD25LE16C8IGR

GigaDevice · 封装：LGA-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2.1 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 LGA-8 封装。
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GD25LE16CLIGR

GigaDevice · 封装：WLCSP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2.1 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 WLCSP-8 封装。
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