GD25LD10ETIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25LD20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 USON-8 封装。GD25LD20CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LD20COIGR
GigaDevice · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSSOP-8 封装。GD25LD20CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LD20CUIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 USON-8 封装。GD25LD20EEIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LD20EK6IGR
GigaDevice · 封装：USON-6
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-6 封装。GD25LD20EKIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LD20ETIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LD40CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 USON-8 封装。GD25LD40CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LD40COIGR
GigaDevice · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSSOP-8 封装。GD25LD40CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LD40CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LD40EEIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LD40EK6IGR
GigaDevice · 封装：USON-6
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-6 封装。GD25LD40EKIGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LD80CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LD80CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。