GD25LB512MEBIRY
GigaDevice · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GigaDevice · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8,采用 SOP-16 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOP-16 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 USON-8 封装。GigaDevice · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 10 mA,采用 SOP-8 封装。GigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 10 mA,采用 USON-8 封装。GigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 USON-8 封装。GigaDevice · 封装:SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 10 mA,采用 SOP-8 封装。GigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。