GD25LB256EFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25LB256ELIGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-32
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WLCSP-32 封装。GD25LB256EWAGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LB256EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。GD25LB256EY2GR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LB256EY2GY
GigaDevice
NOR FlashGD25LB256EYAGR
GigaDevice
NOR FlashGD25LB256EYEGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LB256EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 40 mA，采用 WSON-8 封装。GD25LB256EYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25LB256EYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LB256FFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。GD25LB256FWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LB256FYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25LB32ES2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25LB32ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LB32EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25LB512ME3IRR
GigaDevice · 封装：WLCSP-26
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WLCSP-26 封装。GD25LB512MEB2RY
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NOR FlashGD25LB512MEBARY
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NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。