GD25F512MFY2GR
GigaDevice
NOR Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25F512MFYIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25F64FB2RY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25F64FBARY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25F64FQ2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25F64FS2GR
GigaDevice
NOR FlashGD25LB128DSIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25LB128EFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。GD25LB128ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-8 封装。GD25LB128EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。GD25LB128EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25LB16EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25LB16ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LB16ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25LB16EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD25LB256E3IRR
GigaDevice · 封装：WLCSP-14
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 40 mA，采用 WLCSP-14 封装。GD25LB256EBARR
GigaDevice
NOR FlashGD25LB256EBARY
GigaDevice
NOR FlashGD25LB256EBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。GD25LB256EBJRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。