GD25F128FW2GR
GigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice · 封装:SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 SOP-16 封装。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8,采用 WSON-8 封装。GigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice
NOR FlashGigaDevice · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8,采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。