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GD25D40CEIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。

GD25D40CKIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。

GD25D40CTEGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位,采用 SOP-8 封装。

GD25D40CTIG

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOP-8 封装。

GD25D40CTIGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOP-8 封装。

GD25D40ETJGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOP-8 封装。

GD25D80CEIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。

GD25D80CKIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。

GD25D80CSIGR

GigaDevice · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8,采用 SOP-8 封装。

GD25D80CTIG

GigaDevice · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 TSSOP-8 封装。

GD25D80CTIGR

GigaDevice · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 TSSOP-8 封装。

GD25D80EEIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。

GD25D80EKIGR

GigaDevice · 封装:USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。

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