GD25D05CTIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25D05CTIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOP-8 封装。GD25D05EEEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D05EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D05EK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25D05EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D10EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D10EK6IGR
GigaDevice
NOR FlashGD25D10EKEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D10EKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25D10ETEGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25D10ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25D20CEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25D20CKIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 USON-8 封装。GD25D20CTIG
GigaDevice · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSSOP-8 封装。GD25D20CTIGR
GigaDevice · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSSOP-8 封装。GD25D20EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 USON-8 封装。GD25D20EK6IGR
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NOR FlashGD25D20EKIGR
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NOR FlashGD25D20ETIGR
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