M29W640GH70ZF6F
Alliance Memory · 封装：TBGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录M45PE16-VMW6TG
Alliance Memory · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。M45PE20-VMN6P
Alliance Memory · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。M45PE80-VMP6TG
Alliance Memory · 封装：VFQFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 VFQFPN-8 封装。N25Q032A13EF4A0F
Alliance Memory · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 U-PDFN-8 封装。PC28F640P30BF65B
Alliance Memory · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 52 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 BGA-64 封装。PC28F640P30TF65A
Alliance Memory · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 52 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 BGA-64 封装。PC28F640P33BF60A
Alliance Memory · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 52 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 BGA-64 封装。PC28F640P33TF60A
Alliance Memory
主要参数包括最大时钟频率 52 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous。PF48F4000P0ZBQEF
Alliance Memory · 封装：SCSP-88
主要参数包括最大时钟频率 52 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 SCSP-88 封装。GD25B256EBJRY
GigaDevice
NOR FlashGD25B256EFIGR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。GD25B256EFIGY
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。GD25B256EFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。GD25B256EFIRY
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 SOP-16 封装。GD25B256EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD25B256EWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25B256EYEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25B256EYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD25B256EYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 M x 8，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。