S70GL02GT12FHIV10
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 100 mA，采用 FBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS25LE256E-RMLE-TY
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP010E-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP010E-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP010E-JYLE-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP016D-JMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 SOIC-16 封装。IS25LP016D-JMLE-TY
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP016D-JTLE-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。SST25PF040C-40E/SN18GVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25PF040C-40E/MF
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous。SST25PF040C-40E/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous。SST25PF040CT-40V/NP18GVAO
Microchip Technology · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。M25PE10-VMN6P
Alliance Memory · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。M29F160FT55N3E2
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSOP-48 封装。M29F400FB55N3E2
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSOP-48 封装。M29F400FB55N3F2
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSOP-48 封装。M29W064FT70N3E
Alliance Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-48 封装。M29W320DB7AZA6F
Alliance Memory · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TFBGA-48 封装。M29W640GB6AZA6E
Alliance Memory · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TFBGA-48 封装。M29W640GH70ZA6E
Alliance Memory · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TFBGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。