S79FL512SDSMFVG03
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、读取工作电流（最大值） 180 mA、存储组织结构 64 M x 8、数据总线宽度 8 位。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S79FL512SDSMFVG01
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous。S79FL512SDSMFVG00
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、读取工作电流（最大值） 180 mA、存储组织结构 64 M x 8、数据总线宽度 8 位。S79FL512SDSMFBG01
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous。S79FL512SDSMFBG00
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S79FL256SDSMFVG03
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、读取工作电流（最大值） 180 mA、存储组织结构 32 M x 8、数据总线宽度 8 位。S79FL256SDSMFVG01
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous。S79FL256SDSMFBG03
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S79FL256SDSMFBG00
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S79FL01GSDSBHVC13
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S79FL01GSDSBHVC10
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。S79FL01GSDSBHBC13
Infineon Technologies
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。S79FL01GSDSBHBC10
Infineon Technologies
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。S78HS512TC0BHB013
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、电源电压（最大值） 2 V、读取工作电流（最大值） 173 mA、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 FBGA-24 封装。S78HS512TC0BHB010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、电源电压（最大值） 2 V、读取工作电流（最大值） 173 mA、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 FBGA-24 封装。S70GL02GT12FHVV23
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S70GL02GT12FHVV20
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S70GL02GT12FHIV23
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 100 mA，采用 FBGA-64 封装。S70GL02GT12FHIV20
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 100 mA，采用 FBGA-64 封装。S70GL02GT12FHIV13
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 100 mA，采用 FBGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。