MT53D2DBDS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E2DDDS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E384M32D2DS-053 AUT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53E384M32D2DS-046 AIT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron
DRAM LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDPMT53E4DANZ-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT40A256M16LY-062E AIT:F TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。EMFM432A1PH-DV-F-R
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。W972GG6KB25I TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WBGA-84 封装。MT40A1G8SA-062E AUT:E
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT51J256M32HF-70:B TR
Micron · 封装：FBGA-170
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.545 V、电源电压（最小值） 1.455 V、类型 SDRAM - GDDR5、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-170 封装。MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16。W634GG6MB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W634GU6MB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT41K512M8DA-107 V:P TR
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。IS42S83200J-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。W979H6KBQX2E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。IS42SM16320E-6BLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IS43LR32320B-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - DDR，采用 BGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。