SST26VF080AT-104I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST26VF080AT-80E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。SST26VF080AT-80E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。SST39LF010-55-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是，采用 PLCC-32 封装。SST39LF010-55-4C-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 5 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39LF010-55-4C-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 k x 8、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-32 封装。SST39LF020-55-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
采用 PLCC-32 封装。SST39LF020-55-4C-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 5 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39LF020-55-4C-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 k x 8、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-32 封装。SST39LF040-55-4C-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 k x 8、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF010A-55-4I-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 25 mA、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF010A-70-4C-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39SF010A-70-4C-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 25 mA、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF010A-70-4I-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39SF010A-70-4I-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 25 mA、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF020A-55-4C-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39SF020A-55-4C-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 25 mA、存储组织结构 256 k x 8，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF020A-55-4I-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-32 封装。SST39SF020A-55-4I-TU-T
Microchip Technology · 封装：TSSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 25 mA、存储组织结构 256 k x 8，采用 TSSOP-32 封装。SST39SF020A-70-4C-TU
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 10 mA，采用 TSOP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。