SST26VF020A-80E/MF
Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 DFN-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 WDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology · 封装:WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 WDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA。Microchip Technology · 封装:WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 WDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、最小工作温度 - 40 C,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI, SQI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 WDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。