IS29GL064-70TLEU-TR
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 TSOP-48 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录IS29GL128-70FLEB
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL128-70FLEB-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL128-70FLET
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL128-70FLET-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL128-70GLEB
ISSI · 封装：BGA-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、读取工作电流（最大值） 45 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 BGA-56 封装。IS29GL256-70FLEB
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL256-70FLEB-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL256-70FLET
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。IS29GL256-70FLET-TR
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 45 mA，采用 BGA-64 封装。SST26VF016B-80E/SM
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF016B-80E/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF016B-80E/SN70SVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。SST26VF016BEUI-104I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF016BEUIT-104I/SN
Microchip Technology
主要参数包括湿敏性 是。SST26VF016BT-80E/MF
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF016BT-80E/SM
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF016BT-80E/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA。SST26VF020A-104I/MF
Microchip Technology · 封装：WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 WDFN-8 封装。SST26VF020A-104I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。