IS25WP040E-JNLE-TR
ISSI · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI · 封装:USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI · 封装:XSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、定时类型 Synchronous,采用 XSON-8 封装。ISSI
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、定时类型 Synchronous。ISSI
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、定时类型 Synchronous。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 QPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 15 mA,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 15 mA,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 15 mA,采用 TFBGA-24 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。