W989D6DBGX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W949D6DBHX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W989D2DBJX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W971GG8SB25I TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。MT53E128M16D1DS-053 AIT:A
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W949D2DBJX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W631GU6MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT53E128M16D1DS-046 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。EDB1332BDPC-1D-F-R
Micron · 封装：FBGA-168
主要参数包括存储容量 1 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 32 M x 32、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 FBGA-168 封装。W9712G6KB25I TR
Winbond · 封装：TFBGA-84
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 8 M x 16，采用 TFBGA-84 封装。W972GG8KS25I
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W634GU8MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。MT49H32M18SJ-18:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT53E2DBDS-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT61M256M32JE-10 N:A TR
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。MT61M256M32JE-12 AAT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT61K512M32KPA-16:B
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 FBGA-180 封装。MT40A1G8SA-062E AAT:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。