IS25LP512MH-RHLE
ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 27 mA,采用 TFBGA-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 27 mA,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 27 mA,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 27 mA,采用 SOIC-16 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-16 封装。ISSI · 封装:SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 SOIC-16 封装。ISSI · 封装:BGA-240
主要参数包括存储容量 64 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 BGA-240 封装。ISSI · 封装:BGA-240
主要参数包括存储容量 64 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 BGA-240 封装。ISSI · 封装:BGA-240
主要参数包括存储容量 64 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 BGA-240 封装。ISSI · 封装:BGA-240
主要参数包括存储容量 64 Mbit、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 BGA-240 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。