S26KS512SDGBHA030
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S26KS512SDABHV030
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。S26KS512SDABHN030
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。IS25LP01GG-RMLE-TY
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP01GJ-RHLE
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。IS25LP01GJ-RHLE-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。IS25LP01GJ-RMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25LP01GJ-RMLE-TY
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。IS25LP020E-JNLA3
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP020E-JNLA3-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP020E-JNLE
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP020E-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP020E-JYLA3-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。IS25LP020E-JYLE-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS25LP02GG-RHLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25LP02GG-RHLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。IS25LP02GG-RILE
ISSI
主要参数包括存储容量 2 Gbit、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、原产国家或地区 中国台湾。IS25LP02GG-RILE-TR
ISSI
主要参数包括存储容量 2 Gbit、接口类型 Dual/Quad SPI/QPI、原产国家或地区 中国台湾。IS25LP040E-JNLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25LP040E-JYLA3-TR
ISSI · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。