S29GL128S10TFI020
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。存储器
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46,309 条型号记录S29GL128S10TFI010
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL128S10TFB023
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL128S10FHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10FHI010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10FHB013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10FHB010
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10FAIV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHV023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHV013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHV010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHSS20
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHIV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHIV20
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHIV13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHIV10
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHI023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S10DHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S10DHI013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。