S29GL256S10DHSS60
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL256S10DHSS53
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 16 M x 16。S29GL256S10DHSS50
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHSS20
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHI023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL256S10DHI010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHB023
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHB020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL256S10DHAV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 16 M x 16。S29GL256S10DHA023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 16 M x 16。S29GL256S10DHA020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S90TFI023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL128S90TFI020
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL128S90TFI013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S90TFI010
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL128S90TFA023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S90TFA020
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL128S90FHSS50
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL128S90FHSS43
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 8 M x 16。S29GL128S90FHSS40
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。