S29GL512T11TFIV30
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL512T11TFIV20
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11TFIV13
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S29GL512T11TFIV10
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T11TFB023
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11TFB020
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11TFB010
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11FHIV40
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FHIV33
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FHIV30
Infineon Technologies · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 BGA-64 封装。S29GL512T11FHIV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FHIV13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FHIV10
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T11FHB023
Infineon Technologies · 封装：LAA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 LAA-64 封装。S29GL512T11FHB020
Infineon Technologies · 封装：LAA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 LAA-64 封装。S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512S10FHSS23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 32 M x 16。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。