S29GL512T13DHNV23
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL512T13DHNV13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T13DHNV10
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12TFVV23
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T12TFVV20
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T12TFVV10
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T12TFN023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12TFN020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12TFN013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12TFN010
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T12DHVV23
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T12DHVV20
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T12DHVV10
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12DHN023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12DHN020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、原产国家或地区 TH、湿敏性 是。S29GL512T12DHN013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T12DHN010
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、原产国家或地区 TH、湿敏性 是。S29GL512T11TFV020
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11TFV010
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T11TFIV33
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。