GS4576C09GM-24
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9，采用 FBGA 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GS4576C09GM-33I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9，采用 FBGA 封装。GS4576C36GM-33I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。W97AH6KBQX1E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH6KBQX1I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。GS4576C09GM-33
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9，采用 FBGA 封装。GS4576C36GM-25
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。W94AD2KBJX5E
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W9816G6JH-6I TR
Winbond · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。ECF440AACCN-P2-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。ECF440AACCN-V6-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。IS43TR16512AL-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR81024B-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。MT53D768M64D4SQ-053 WT:A
Micron
DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDPMT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。MT53D8DAHR-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT44K64M18RB-107E IT:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT44K32M36RB-093E:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。