S29GL512T10TFA020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL512T10TFA010
Infineon Technologies · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 TSOP-56 封装。S29GL512T10FHI040
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T10FHI033
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FHI030
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FHI023
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FHI013
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FHI010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10FAI020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10FAI010
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10DHI023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10DHI020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T10DHI013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、湿敏性 是。S29GL512T10DHI010
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA。S29GL512T10DHA020
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16、数据总线宽度 8 bit/16 bit、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。S29GL512T10DHA013
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。S29GL512T10DHA010
Infineon Technologies · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA，采用 FBGA-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。