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S25FS512SAGBHM210

Infineon Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
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S25FS512SAGBHM213

Infineon Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
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S25FS512SAGBHV210

Infineon Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
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S25FS512SAGBHV213

Infineon Technologies · 封装：BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
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S25FS512SAGMFB010

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFB013

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFI010

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFI011

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFI013

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFV011

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGMFV013

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。
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S25FS512SAGNFA010

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFA013

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFI010

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFI011

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFI013

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFM010

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFV010

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFV011

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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S25FS512SAGNFV013

Infineon Technologies · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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