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S25FL512SDSBHMC10

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流(最大值) 90 mA、认证等级 AEC-Q100。

S25FL512SDSBHMC13

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流(最大值) 90 mA、认证等级 AEC-Q100。

S25FL512SDSMFBG10

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

S25FL512SDSMFBG11

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

S25FL512SDSMFBG13

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流(最大值) 90 mA、认证等级 AEC-Q100。

S25FL512SDSMFM010

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

S25FL512SDSMFM013

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

S25FL512SDSMFV010

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

S25FL512SDSMFV013

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流(最大值) 90 mA、湿敏性 是。

S25FS064SAGBHB020

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

S25FS064SAGBHB023

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

S25FS064SAGBHI020

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

S25FS064SAGBHN020

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

S25FS064SAGBHV020

Infineon Technologies · 封装:BGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。

S25FS064SAGMFB010

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

S25FS064SAGMFB011

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

S25FS064SAGMFB013

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

S25FS064SAGMFI010

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

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