S25FL512SDPBHI213
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。存储器
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46,309 条型号记录S25FL512SDPBHI310
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPBHI313
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPBHIC10
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPBHIC13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、湿敏性 是。S25FL512SDPBHV210
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPBHV213
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、湿敏性 是。S25FL512SDPBHV310
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPBHV313
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、湿敏性 是。S25FL512SDPBHVC10
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDPMFI010
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL512SDPMFI011
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL512SDPMFI013
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL512SDPMFIG11
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL512SDPMFIG13
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、原产国家或地区 美国。S25FL512SDPMFV011
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL512SDPMFV013
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、湿敏性 是。S25FL512SDSBHI210
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL512SDSBHI213
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、读取工作电流（最大值） 90 mA、湿敏性 是。S25FL512SDSBHIC13
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。