S25FL128SDSBHV200
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S25FL128SDSBHV203
Infineon Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL128SDSMFA000
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFA003
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFB000
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFB001
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFB003
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFBG00
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFBG01
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFBG03
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFBG10
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFBG13
Infineon Technologies
主要参数包括定时类型 Synchronous、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。S25FL128SDSMFN000
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFN001
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFN003
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFV000
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFV001
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSMFV003
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL128SDSNFI000
Infineon Technologies · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL128SDSNFI001
Infineon Technologies · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。