IS25WP016D-JBLE-TR
ISSI · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-Wide-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-Wide-8 封装。ISSI · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-Wide-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-Wide-8 封装。Micron
主要参数包括商品名称 Xccela。Micron
主要参数包括商品名称 Xccela。Micron · 封装:SOP2-16
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR、存储组织结构 32 M x 8,采用 SOP2-16 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Micron · 封装:SOP2-8
主要参数包括存储容量 16 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR、存储组织结构 512 M x 32、数据总线宽度 32 位,采用 SOP2-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。Micron
主要参数包括存储容量 512 Mbit、接口类型 Serial、商品名称 Xccela。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Micron · 封装:T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 T-PBGA-24 封装。Micron · 封装:T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位,采用 T-PBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。