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Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 4MEG FLASH EEPROM按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 4MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Cypress Semiconductor
NOR Flash IC 4MEG FLASH EEPROMCypress Semiconductor
NOR Flash IC 4MEG FLASH EEPROMWinbond
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Winbond
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 BGA-24 封装。ISSI · 封装:SOIC-16
主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-16 封装。ISSI · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-Wide-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR,采用 WSON-8 封装。ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。