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存储器

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S29GL128S10GHB013

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。

S25FL512SDSMFBG13

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。

W25R256JVEIQ TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

W25Q01JVTBIQ TR

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C。

W25Q01JVTBIM TR

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C。

9022918

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

SST38VF6404BT-70I/CD

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

SST38VF6402BT-70I/CD

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

SST38VF6403BT-70I/CD

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

W25Q256JWEIM TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

S99-50219

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S99FL512S0001 P

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S72XS256RE0AHBJ23

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL256S10FHB023

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。

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