W634GU8MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W97AH6KBQX2I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。ECF440AACCN-P4-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。W979H2KBQX2E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。S27KL0641DABHV030
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。IS42VM32800K-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS43TR81280BL-107MBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C32M16SA-7TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS43DR86400E-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。W9864G6KH-5 TR
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS45S16100H-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。MT41K256M16LY-093:N TR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT41K256M16LY-093:NTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS43LR16320C-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - DDR，采用 BGA-60 封装。IS43DR16320D-25DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS42SM16200D-6BLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IS49NLS18320A-18WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 WBGA-144 封装。IS42S16800F-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。