AS4C32M16SB-6TIN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS66WVH16M8BLL-100B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、存储组织结构 16 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVH8M8ALL-166B1LI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 HyperRAM、存储组织结构 8 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。IS43LD32320C-25BLI
ISSI · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C64M16D2A-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。AS4C1G8MD3L-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43DR16128C-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是、单件重量 0.063493 oz，采用 BGA-84 封装。IS43LD16640C-25BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、湿敏性 是、单件重量 0.007796 oz。IS43TR16256AL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16256B-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43DR16640C-25DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。AS4C64M16D3B-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16128C-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是、单件重量 0.008078 oz，采用 BGA-96 封装。AS4C128M16D3B-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16128CL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是、单件重量 0.008078 oz，采用 BGA-96 封装。IS42S16100H-7TL
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。AS4C32M16SB-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C64M16D2A-25BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。AS4C128M8D1-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-66 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。