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存储器

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S25FL512SAG-HEA10

Cypress Semiconductor

主要参数包括商品名称 MirrorBit。

S25FL256SAG-HEA00

Cypress Semiconductor

主要参数包括商品名称 MirrorBit。

W25R256JWEIQ TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。

P770011C-F9C353

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL256S90DHA013

Cypress Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100。

8 611 200 975

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

MT35XU256ABA2G12-0AAT TR

Micron · 封装:T-PBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 T-PBGA-24 封装。

IS29GL512S-11DHIV2-TR

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-64

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。

W25Q256JWPIQ TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

S70KL0BGT00FHCR00

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29VS064RABBHI013

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-44

主要参数包括最大时钟频率 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 4 M x 16,采用 FBGA-44 封装。

W25Q256JWPIM TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

IS26KL128S-DABLA200-TR

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous,采用 FBGA-24 封装。

9023230AA

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

W25Q32JWZPIM TR

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

16-3195-01-T

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S25FS512SAGMFB013

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-16 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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