MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR、存储组织结构 1 G x 1, 16 M x 8，采用 T-PBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 T-PBGA-24 封装。A2C01206600 A
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。S29GL01GS11DHB023
Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S29GL01GS11DHA023
Cypress Semiconductor · 封装：LEA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、电源电流（最大值） 100 uA，采用 LEA-64 封装。MT25QU512ABB8E12-0AUTDC
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT35XU01GBBA1G12-0AUT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 T-PBGA-24 封装。MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 T-PBGA-24 封装。8 611 200 870
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。P770020C-F5C000
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S70FL01GSDPBHIC13
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。IS26KL256S-DABLA300-TR
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。IS26KL512S-DABLA200-TR
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。A2C00713500 A
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。S29GL01GT10DHI023
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR、存储组织结构 1 G x 1, 16 M x 8，采用 T-PBGA-24 封装。8 909 002 187
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 T-PBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。