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Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-80
主要参数包括最大时钟频率 56 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous,采用 FBGA-80 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-80
主要参数包括最大时钟频率 56 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous,采用 FBGA-80 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。Winbond · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 TFBGA-24 封装。Winbond · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 TFBGA-24 封装。ON Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous。Cypress Semiconductor
NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:WFBGA-34
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 WFBGA-34 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100。Winbond · 封装:VSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8,采用 VSOP-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、商品名称 MirrorBit。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 32 Mbit、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:TDFN-S-8
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI,采用 TDFN-S-8 封装。Winbond · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。