MT46V64M8CY-5B:J TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。W632GG6NB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-96 封装。W9812G6JB-6I TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。S27KS0641DPBHB023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperRAM。W9825G6JB-6 TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 FBGA-78 封装。W971GG6SB-18 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 64 M x 16，采用 WBGA-84 封装。MT53B256M64D2TP-062 XT:C
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C。W9816G6JB-7I TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W9751G6KB-18 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16，采用 WBGA-84 封装。RM3316-XSNI-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。W9725G6KB-18 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 16 M x 16，采用 WBGA-84 封装。W956K6HBCX7I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。AS4C16M16D1A-5TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS42S83200G-7BL
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS46TR16128C-15HBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128BL-15HBLA1
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS45S16160J-7BLA1
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。IS42RM16160K-75BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。